NANTAI 12PCR קאָממאָן ראַיל סיסטעם דיעסעל ברענוואַרג ינדזשעקשאַן פּאָמפּע טעסט באַנק
נייַ פּלאַן NANTAI 12PCR ברענוואַרג נעזל ברענוואַרג פּאָמפּע קאַלאַבריישאַן טעסט באַנק קאָממאָן ראַיל מיט פּאָמפּע ינדזשעקטער טעסט באַנק ויסריכט אויף פאַרקויף
הויפּט פֿונקציע
1.מעאַסורעמענט פון יעדער צילינדער עקספּרעס אין קיין גיכקייַט.
2. טעסט פונט און מעהאַלעך ווינקל פון בוימל צושטעלן פון ינדזשעקשאַן פּאָמפּע.
3. קאָנטראָלירונג און סטרויערן די מעטשאַניקאַל גענעראל.
4. קאָנטראָלירונג און אַדזשאַסטינג די דיסטריביאַטער פּאָמפּע.
5. עקספּערימענט און אַדזשאַסטמאַנט פון נאַטור פון סופּערטשאַרדזשינג און קאַמפּאַנסאַטאָרי מיטל.
6. מעזשערמאַנט פון ייל צוריקקומען פון דיסטריביוטינג פּאָמפּע
7. טעסטינג פון די ילעקטראָומאַגנעטיק וואַלוו פון דיסטריביאַטער פּאָמפּע.(12V/24V).
8. מעאַסורעמענט פון די ינערלעך דרוק פון דיסטריביאַטער פּאָמפּע.
9. קאָנטראָלירונג פון די שטייַגן ווינקל פון שטייַגן מיטל.(אויף בעטן).
10. קאָנטראָלירונג די סילינג פון ינדזשעקשאַן פּאָמפּע גוף.
11. ינסטאַלירן רער פון אַוטאָ-סאַקינג בוימל צושטעלן קענען קאָנטראָלירן די בוימל צושטעלן פּאָמפּע.(אַרייַנגערעכנט VE פּאָמפּע.)
12PCR פּראָסט רעלס ברענוואַרג ינדזשעקשאַן פּאָמפּע פּרובירן באַנק דעטאַילס:
טעכניש טשאַראַקטעריסטיקס פון 12PCR פּראָסט רעלס ברענוואַרג ינדזשעקשאַן פּאָמפּע פּרובירן באַנק
| זאכן | דאַטאַ |
| הויפּט מאָטאָר רעזולטאַט מאַכט (קוו) | 7.5,11,15,18.5 |
| אָפטקייַט קאָנווערטער | דעלטאַ |
| פאַרנעם פון דרייען גיכקייַט (ר / עם) | 0-4000 |
| נאָרמאַל ינדזשעקטערז | ZS12SJ1 |
| נומער פון סילינדערס | 12 |
| הייך פון הויפּט אַקס צענטער (מם) | 125 |
| פילטער בוימל פּינטלעכקייַט פון פּרובירן באַנק (μ) | 4.5 ~ 5.5 |
| באַנד פון גרויס און קליין וואָלומעטריק צילינדער (מל) | 150 45 |
| באַנד פון ברענוואַרג טאַנק (ל) | 40 |
| דק מאַכט צושטעלן | 12/24 וו |
| נידעריק דרוק פון ברענוואַרג ייל דרוק (מפּאַ) | 0~0.6 |
| הויך דרוק פון ברענוואַרג ייל דרוק (מפּאַ) | 0~6 |
| דרוק מאָס פֿאַר VE פּאָמפּע (מפּאַ) | 0-1.6 |
| דרוק מאָס פֿאַר VE פּאָמפּע (מפּאַ) | 0-0.16 |
| קאָנטראָל טעמפּעראַטור פון ברענוואַרג (°C) | 40±2 |
| פליוויל ינערשאַ (קג*מ) | 0.8~0.9 |
| פאַרנעם פון געשטעל באַר מאַך (מם) | 0~25 |
| מעאַסורינג קייט פון לויפן מעטער (ל / עם) | 10~100 |
| דק עלעקטריקאַל מקור (V) | 12 24 |
| Positive דרוק פון לופט צושטעלן (מפּאַ) | 0~0.3 |
| נעגאַטיוו דרוק פון לופט צושטעלן (מפּאַ) | -0.03~0 |
